壓電元件及其製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201010156217.3

專利證號

1300437

專利獲證名稱

壓電元件及其製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/11/06

技術說明

本發明係關於一種壓電元件及其製備方法，本發明之壓電元件包括：複數奈米碳管﹔壓電陶瓷層，係覆於奈米碳管之表面﹔以及支撐材料，係配置於表面覆有壓電陶瓷層之複數奈米碳管之間，使支撐奈米碳管﹔其中，複數奈米碳管之間係排列呈現一梳狀，配置於複數奈米碳管表面之壓電陶瓷層係互相電性耦接，且複數奈米碳管、至少一壓電陶瓷層、以及支撐材料係形成一壓電塊。本發明之壓電元件可同時具有優秀之彈性(耐用性)以及優秀之壓電特性，且當本發明之壓電元件尺寸為2.5mmx1mmx1mm(長x寬x高)時，所測得的電流可達到約1.5μA、電壓可達1V以上。 The piezoelectronic device of the present invention comprises: a plurality of carbon nanotubes; at least one piezoceramic layer covering the plurality of carbon nanotubes; and a supporting material for supporting the carbon nanotubes and disposed between the carbon nanotubes, the supporting layer being coated with at least one piezoceramic layer. The piezoelectronic device of the present invention is advantageous in having excellent elasticity (durability) and excellent piezoelectronical property. The induced current obtained from the piezoelectronic device of the present invention is about 1.5μA or above as well as induced voltage being over 1V when the size of the piezoelectronic block is 2.5mm x 1mm x 1mm (length x width x height).

備註

本部(收文號1110008609)同意該校111年2月15日清智財字第1119000986號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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