V-VI族半導體之奈米片狀陣列結構之製備方法METHOD FOR PREPARING NANO-SHEET ARRAY STRUCTURE OF GROUP V-VI SEMICONDUCTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/265,898

專利證號

US 9,023,663 B2

專利獲證名稱

V-VI族半導體之奈米片狀陣列結構之製備方法METHOD FOR PREPARING NANO-SHEET ARRAY STRUCTURE OF GROUP V-VI SEMICONDUCTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/05/05

技術說明

V-VI族半導體熱電材料，是熱電材料中在室溫下擁有最佳的熱電優值表現的一類，使其具有潛力應用在能源轉換及冷卻系統上，不同於傳統利用壓縮機及管線的冷卻設計，固態碲化鉍系列熱電材料具有製作成微米級尺寸熱電裝置的優勢，可應用於晶片等微機電元件上，持續提升熱電材料的熱電優值表現依然是科學家不斷努力的方向。奈米結構化的碲化鉍系列材料已被理論及實驗上證實能有效的大幅提升其熱電優值表現。本發明之主要目的係提供一種製備V-VI族半導體之奈米片狀陣列結構之方法，包含下列步驟：提供一包含氫離子的電解液，並於該電解液中設置一輔助電極以及一工作電極，其中該工作電極包含一V-VI族半導體塊材；以及在該輔助電極與該工作電極施加一氧化還原偏壓，以於該V-VI族半導體塊材上形成一奈米片狀陣列結構 The object of the present invention provides a method for producing a nano sheet array structure having V-VI group semiconductors, comprising the following steps: providing an electrolyte with a hydrogen ion in which an auxiliary electrode and a working electrode are established, wherein, the working electrode comprises a bulk having V-VI group semiconductors; and applying a oxidation-reduction bias to the auxiliary electrode and the working electrode, to form a nano sheet array structure.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址