雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路Double-triggered silicon controlling rectifier and electrostatic discharge protection circuit thereof

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/709,307

專利證號

US 7,071,528 B2

專利獲證名稱

雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路Double-triggered silicon controlling rectifier and electrostatic discharge protection circuit thereof

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2006/07/04

技術說明

本發明係揭露一種適用於低電壓製程之電荷幫浦電路，其係由複數級彼此串聯之電壓放大器組 成，且相鄰二級電壓放大電路的操作可藉由相反之時序信號來進行控制，且每一級電壓放大電 路包含一對相耦接之第一與第二互補式MOS電晶體，並根據輸入對應第一電容器與第二電容器 之時序信號與反相時序信號來進行開關操作，再利用兩個二極體元件將電荷導至下一級電路， 最後即可輸出一高於積體電路電壓源之電壓。本發明具有高幫浦增益之優點，且在低電壓製程 中可以解決閘極氧化層之可靠度問題。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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