合成銦鎵鋅氧化物之方法及使用其形成銦鎵鋅氧化物薄膜之方法MRTHOD FOR PREPARING IGZO PARTICLES AND METHOD FOR PREPARING IGZO THIN FILM BY USING THE IGZO PARTICLES

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098135888

專利證號

I 415794

專利獲證名稱

合成銦鎵鋅氧化物之方法及使用其形成銦鎵鋅氧化物薄膜之方法MRTHOD FOR PREPARING IGZO PARTICLES AND METHOD FOR PREPARING IGZO THIN FILM BY USING THE IGZO PARTICLES

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/11/21

技術說明

本發明係有關於一種合成銦鎵鋅氧化物之方法及使用其形成銦鎵鋅氧化物薄膜之方法，其中，合成銦鎵鋅氧化物之方法係包括：(A) 提供一金屬酸鹽水溶液，此金屬酸鹽水溶液係包含一鋅金屬酸鹽、一銦金屬酸鹽、以及一鎵金屬酸鹽；(B) 混合此金屬酸鹽水溶液與一鹼性水溶液，以製得一氧化物前趨物；以及(C) 加熱此氧化物前趨物，以製得一銦鎵鋅氧化物之微細粉末。製得均勻之氧化物微粒之後藉由一分散劑使此銦鎵鋅氧化穩定分散於溶液之中，此穩定分散之微粒易於藉由各種塗佈方式形成半導體層。 A method for preparing IGZO particles anda method for preparing an IGZO thin film by using the IGZO particles are disclosed. The method for preparing the IGZO particles comprises the following steps: (A) providing a solution of metal acid salts, whichcontains a zinc salt, a indium salt, and a gallium salt; (B) mixing the solution of the metal acid salts with a basic solution to obtain an oxide precursor; (C) heating the oxide precursor to obtain an IGZO powder.

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址