角落偵測電路Corner detector

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/845,297

專利證號

US 8,193,837 B2

專利獲證名稱

角落偵測電路Corner detector

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/06/05

技術說明

在已知的文獻中，皆無法分別偵測P型金氧半場效電晶體與N型金氧半場效電晶體的製程漂移，導致補償效果不盡理想。本發明提出一個新的門檻電壓偵測函數產生電路，利用電晶體門檻電壓受製程、溫度與電壓漂移影響的特性，設計一個門檻電壓函數產生系統，可準確地分別偵測出P型金氧半場效電晶體與N型金氧半場效電晶體的製程、溫度與電壓漂移，並針對各種電路特性補償，結合自動回授校正功能，即可廣泛應用在所有積體電路設計上，大幅提高電路設計的可靠度。此一方法可廣泛應用在所有積體電路系統裡，大幅提升產品良率。 A primary objective of this invention is to offer a corner detector which comprises a PMOS threshold voltage detector and an NMOS threshold voltage detector, wherein the PMOS threshold voltage detector is composed of a first clock terminal, a first CMOS inverter, a first capacitor, a PMOS threshold voltage function generator and a first voltage output terminal.

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年11月20日中產營字第1041400247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

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