薄膜電晶體的製作方法Method for Fabricating Thin Film Transistors

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103141854

專利證號

I 565080

專利獲證名稱

薄膜電晶體的製作方法Method for Fabricating Thin Film Transistors

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2017/01/01

技術說明

傳統金屬電極必須被透明導電膜所取代，但會面臨接觸電組過大，導致導通電流(Ion)下降以及電流擁擠效應(current crowding effect)發生，本發明揭示一種薄膜電晶體的製作方法，用於解決習知薄膜電晶體中透明導電膜的接觸電阻過大問題，該製作方法之步驟包含：於一基板上形成一電晶體雛型，該電晶體雛型具有二透明電極，用以作為一薄膜電晶體之一源極及一汲極；及將該電晶體雛型的二透明電極裸露於充滿電漿的環境中，使電漿對該電晶體雛型的二透明電極進行表面處理，用以製成該薄膜電晶體。藉此，可確實解決上述問題。 This invention discloses a method for fabricating thin film transistors to solve the problem that the contacting resistance of the transparent conducting film of the known thin film transistors is too large. The method comprises steps of forming a transistor prototype on a substrate, the transistor prototype has two transparent electrodes to use for a source and a drain of a thin film transistor, and exposing the two transparent electrodes of the transistor prototype in an environment full of the plasma, to implement a surface treatment process of the transparent electrodes of the transistor prototype by the plasma for the purpose of a thin film transistor fabrication. Thus, it can actually resolve the said problem.

備註

本部(收文號1090044217)同意該校109年7月14日中產營字第1091400739號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

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(07)525-2000#2651

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