以金屬奈米粒子修飾二氧化鈦奈米線基板之方法及其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103100872

專利證號

I 517418

專利獲證名稱

以金屬奈米粒子修飾二氧化鈦奈米線基板之方法及其應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2016/01/11

技術說明

本技術先將欲製備奈米粒子的基材置於表面濺鍍機中，濺鍍上一層該物質的薄膜，並選擇一種加熱方式(照光源、雷射、鍛燒、微波、電漿)使濺鍍的薄膜形成奈米晶體。現有技術之合成奈米粒子，皆未能以非液相、低成本及簡易製備的方式來達成，本技術能以非液相、低成本、易製備的方式達成能穩固附著於基材的奈米晶體。以非液相、低成本及簡易的方式製備奈米晶體，並降低製備時間及成本，此嶄新的技術在合成奈米粒子上能有廣泛運用空間。 The technique in a simple, fast, low-cost, non-liquid way to prepare nanocrystals attached stably on substrate, which has wide applications in preparing nanostructure.

備註

本部(收文號1080029338)同意該校108年5月10日興產字第1084300302號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址