控制表面侷限氧化還原反應時間製備合金薄膜的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108140146

專利證號

I 707068

專利獲證名稱

控制表面侷限氧化還原反應時間製備合金薄膜的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2020/10/11

技術說明

本發明提供一種控制表面侷限氧化還原反應時間製備合金薄膜的方法，其包含進行一沉積步驟以及進行一表面侷限氧化還原步驟。沉積步驟係將一第一金屬元素透過一電位沉積法沉積於一導電基板上。表面侷限氧化還原步驟係將一第二金屬元素透過一開路電位法於一開路電位時間下置換第一金屬元素，並控制開路電位時間以獲得一合金薄膜。藉此，本發明可透過不同表面侷限氧化還原反應時間來調控合金薄膜中合金的含量且能夠沉積原子層薄膜。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

網址