二氧化錫延伸式閘極離子感測電晶體之製造方法以及相關之檢測電路與讀出電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093126052

專利證號

I234284

專利獲證名稱

二氧化錫延伸式閘極離子感測電晶體之製造方法以及相關之檢測電路與讀出電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2005/06/11

技術說明

一種二氧化錫延伸式閘極離子感測電晶體之製造方法，包括下列步驟，首先提 供一基板。接 著，以溶膠凝膠法形成一二氧化錫薄膜於基板上。然後，將二氧化錫薄膜與一 導線相連接。 接下來，將基板、二氧化錫薄膜、導線以環氧樹酯包覆，但露出部分之二氧化 錫薄膜及部分 之導線。最後，電性連接露出之導線與一金屬半場效電晶體之閘極。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

網址