晶圓微波退火之晶圓承載結構及其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101145085

專利證號

I 587422

專利獲證名稱

晶圓微波退火之晶圓承載結構及其應用

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2017/06/11

技術說明

隨著半導體元件尺寸縮小進入深次微米世代，提升元件性能成為半導體製程的重要課題。例如於金氧半場效電晶體(metal oxide semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET)中活化源/汲極摻雜區之摻雜質、修復因佈植摻雜質而受損的晶格結構，或與閘極結構同時在源/汲極區的表面形成金屬矽化物，皆可降低元件片電阻值，因此，源/汲極摻雜區的活化量與金屬矽化物的片電阻值，均會實質影響MOSFET的性能表現。活化源/汲極摻雜區或形成金屬矽化物需進行退火(annealing)步驟，於習知的半導體製程中，利用微波退火裝置來進行退火步驟，可降低系統溫度，以避免高溫導致源/汲極摻雜區之摻雜質過於擴散或元件之片電阻值飆升。本案發明提供一種晶圓微波退火之晶圓承載結構，包括第一構件及第二構件。其中，第二構件與第一構件共同定義出封閉空間，用以容置晶圓，且第一構件和第二構件至少一者，包含不吸收微波材料。 A wafer bearing structure for a wafer microwave annealing apparatus including a first component and a second component is provided. The first component and the second component mutually define a sealed space for disposing a wafer. At least one of the first component and the second component includes a material without absorption of microwave.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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