深次微米級T型閘極半體裝置之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

090129483

專利證號

I 226666

專利獲證名稱

深次微米級T型閘極半體裝置之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/01/11

技術說明

次微米T形閘極技術是運用了I-line步進機以及相移光罩研發而成。由於這項技術具有成本 低廉以及產能高等優點，對於砷化鎵單質微波積體電路的技術而言，非常具有競爭力。而在 本發明中所描述的技術正是一種使用PSM技術製作出來的優秀T形閘極技術。首先，我們在晶 片上鍍上一層2500A的氮化矽，並選擇8%半調相移光罩以及I-line步進機進行曝光，製作出 隔絕的窄溝結構。接下來運用反應離子蝕刻機進行乾式蝕刻製作出線寬小於0.25μm的氧化矽 窄溝，然後再將光阻去除。為了進一步縮小窄溝線寬，再將整片晶片鍍上一層500A白色氮化 矽後再使用反應離子蝕刻機蝕刻氮化矽，這個步驟可將窄溝的線寬縮小至0.2μm以下。最後 塗佈一層光阻製作出T形閘極的結構後，再鍍上閘極金屬後進行撕開(1ift-off)的製程，完 成全部的閘極製程。和傳統砷化鎵單質微波積體電路製程比較，這種T形閘極的製程具有產 能更高、成本更低等等的優點。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利(交大)

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