記憶體位址重新映射裝置與修復方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099141225

專利證號

I 439857

專利獲證名稱

記憶體位址重新映射裝置與修復方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立彰化師範大學

獲證日期

2014/06/01

技術說明

一記憶體位址重新映射結構，除主記憶體外，包括一可傳出遮罩位元之三值內容可定址記憶體、一被遮位元集中器、一行位址解碼器與一接受三值內容可定址記憶體優先權編碼器所選擇之備用列記憶體。其修復方法包括下列步驟：初始化各旗標。對測試單元傳來錯誤所在位址，逐一與已啟用三值位址進行漢明距離分析，依同行或同列、同一叢聚及在同一子方體之順序共用一三值位址，並以其門檻數決定必要旗標；若無可共用者，則啟用一列新三值位址；若傳來錯誤已無可共用或可啟用三值位址，則修復失敗；或再無傳來錯誤，則修復成功。 A memory remapping architecture including a mask-bit readable TCAM, a masked address concentrator and a set of spare rows with a column address decoder. The repairing method starts from initialization of flags. For each faulty address from MBIST, the validated ternary-valued address is shared according to the priority of common-row/column, common-cluster and common-subcube and marked essential according to threshold numbers. Without sharable rows a new row is validated. Repairing is failed without available rows for a coming faulty address, or successful without coming faulty address.

備註

本部(收文號1090021583)同意該校109年4月10日研發字第1090400116號函申請終止維護專利(彰師大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

04-7232105轉1858

網址