光偵測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103101189

專利證號

I 512963

專利獲證名稱

光偵測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/12/11

技術說明

一種光偵測器，包括一基板、一平面金屬層、一介電層、一圖案金屬層以及一半導體薄膜層。平面金屬層形成於基板上。介電層形成於平面金屬層上。圖案金屬層形成於介電層上。圖案金屬層包括一第一指叉形電極及一第二指叉形電極，第一指叉形電極與第二指叉形電極相鄰。半導體薄膜層形成於介電層上並覆蓋第一指叉形電極及第二指叉形電極。當半導體薄膜層接收一入射光時，平面金屬層與圖案金屬層藉由操作在侷域型表面電漿模態或波導模態吸收入射光的特定窄頻波長，以改變半導體薄膜層的導電度，藉此判斷光偵測器所吸收的光能。 A photo detector is disclosed. The photo detector comprises a substrate, a flat metal layer, a dielectric layer, a patterned metal layer, and a semiconductor film. When the semiconductor film receives an incident light, the flat metal layer and the patterned metal layer are operated in a localized surface plasmon mode or a waveguide mode for absorbing a certain narrow bandwidth radiation light of the incident light. Therefore, the electrical conductivity of the semiconductor film is changed and the optical energy absorbed by the photo detector is determined.

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

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33669945

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