靜態隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109100118

專利證號

I 700695

專利獲證名稱

靜態隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2020/08/01

技術說明

一種靜態隨機存取記憶體包含一電源門控電路、一SRAM單元及一資料讀寫單元，該SRAM單元於一存取模式時，該電源門控電路傳送一電源電壓至該SRAM單元，而該SRAM單元於一待命模式時，該電源門控電路傳送一降壓電壓至該SRAM單元，由於該SRAM單元藉由該電源門控電路能夠於待命模式下使用電壓較該電源電壓低之該降壓電壓，而可大幅降低功率消耗。 A static random access memory includes a power gating circuit, an SRAM unit, and a data reading and writing unit. When the SRAM is in a reading and writing mode, the power gating circuit transmits a supply voltage to the SRAM unit. When the SRAM is in a standby mode, the power gating circuit transmits a step-down voltage to the SRAM unit. Because the SRAM could receive the step-down voltage which is lower than the supply voltage in the standby mode through the power gating circuit, the SRAM memory could greatly reduce the power consumption.

備註

本會(收文號1120021252)同意該校112年4月13日中產營字第1121400359號函申請終止維護專利(國立中山大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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