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專利類型 專利國別
(專利申請國家)
專利申請案號 專利證號 專利獲證名稱 專利所屬機關
(申請機關)
獲證日期
發明 美國 14/640,960 US 9,413,297 B2 偏壓電路CONSTANT TRANSCONDUCTANCE BIAS CIRCUIT 國立交通大學 2016/08/09
發明 美國 14/108,004 US 9,414,469 B2 停電照明與一般照明整合燈Integrated Lamp with Automatic Emergency Light and Regular Light 國立虎尾科技大學 2016/08/09
發明 美國 14/747,146 US 9,413,360 B2 振盪器模組及其訊號校準方法Oscillation module and signals calibrating method of the same 中原大學 2016/08/09
發明 美國 14/791,572 US 9,413,260 B1 可允許電感值變化之三相模組化多階換流器電流控制方法Method of Current Control of Three-Phase Modular Multilevel Converter with Inductance Changes Allowed 國立清華大學 2016/08/09
發明 美國 14/320,661 US 9,411,649 B2 資源分配方法Resource Allocation Method 國立臺灣大學 2016/08/09
發明 大陸 201210353457.1 ZL201210353457.1 一种超级电容及其制作方法 逢甲大學 2016/08/03
發明 日本 特願 2014-147714 特許 5964894 レバー式粘弾性振動吸収装置 財團法人國家實驗研究院 2016/08/03
發明 丹麥 EP 11737720.0 EP 2 529 013 Novel beta-glucosidase and uses thereof 中央研究院 2016/08/03
發明 英國 EP 11737720.0 EP 2 529 013 Novel beta-glucosidase and uses thereof 中央研究院 2016/08/03
發明 德國 EP 11737720.0 EP 2 529 013 Novel beta-glucosidase and uses thereof 中央研究院 2016/08/03
發明 法國 EP 11737720.0 EP 2 529 013 Novel beta-glucosidase and uses thereof 中央研究院 2016/08/03
發明 美國 13/412,675 US 9,404,181 B2 Plasma enhanced atomic layer deposition system 財團法人國家實驗研究院 2016/08/02
發明 美國 14/740,288 US 9,406,355 B1 感測放大器SENSE AMPLIFIER 國立清華大學 2016/08/02
發明 美國 13/464,471 US 9,404,793 Method and system for adjusting brightness 國立成功大學 2016/08/02
發明 美國 13/706,386 US 9,404,170 B2 Method for increasing mechanical strength of titanium alloys having.alpha.'' phase by cold working 國立成功大學 2016/08/02


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