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專利類型 專利國別
(專利申請國家) 		專利申請案號 專利證號 專利獲證名稱 專利所屬機關
(申請機關) 		獲證日期
發明 中華民國 089125120 145688 超低介電常數毫微米孔洞二氧化矽薄膜材料之電漿鍛燒製程 財團法人國家實驗研究院 2001/11/11
發明 中華民國 089111706 146097 具有副閘極及蕭特基源/汲極之薄膜電晶體及其製造方法 財團法人國家實驗研究院 2001/11/11
發明 美國 09/458,305 6,303,809 有機金屬釕、鋨氣相沈積前驅物 國立清華大學 2001/10/16
發明 中華民國 00569008 194931 一種多功光電生物醫學晶片檢測儀 國立臺灣大學 2001/10/12
新型 中華民國 90204525 181507 搭接組合式挫屈拘束韌性支撐 財團法人國家實驗研究院 2001/10/11
發明 中華民國 089114709 144185 形成銅活化晶種層的方法 財團法人國家實驗研究院 2001/10/11
發明 中華民國 087115290 I 140293 可選擇之固定係數濾波器裝置 國立成功大學 2001/09/01
發明 中華民國 089111027 142284 銅導線的製造方法 財團法人國家實驗研究院 2001/08/21
發明 中華民國 088123425 138656 形成複晶矽堆疊結構之方法 國立交通大學 2001/08/11
發明 中華民國 089110230 137418 使用準分子雷射進行回火的方法 國立交通大學 2001/07/11
發明 中華民國 089127551 I 137979 晶片式微流量（流速）感測系統 國立成功大學 2001/07/11
發明 美國 09/361,474 US 6,245,528 B1 桿狀病毒表達系統Latent baculovirus expression system. 中央研究院 2001/06/12
發明 美國 09/597,275 US6,240,004B1 Low-Voltage Content-Addressable-Memory Cell with a Fast Tag-Compare Capability Using Parttially-Depleted SOI CMOS Dynamic-Threshold Techniques 國立臺灣大學 2001/05/29
發明 中華民國 0088109799 133404 非晶形三氧化鎢離子感測場效電晶體之裝置與製造方法 國立雲林科技大學 2001/05/16
發明 中華民國 088112425 I 132224 適用於單位元線同時讀寫之低電壓靜態隨機存取記憶體的6顆電晶體雙埠記憶單元電路 國立臺灣大學 2001/05/16


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