| 專利類型 |
專利國別 (專利申請國家) |
專利申請案號 | 專利證號 | 專利獲證名稱 |
專利所屬機關 (申請機關) |
獲證日期 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 發明 | 美國 | 111-094 | 6800880B1 | 具有極低補償電壓和高電流增益之異質接面雙極性晶體 | 國立高雄師範大學 | 2004/10/05 |
| 發明 | 美國 | 10/014,600 | US6,801,108B2 | 以阻抗轉換電路設計之毫米波被動場效電晶體切換器 | 國立臺灣大學 | 2004/10/05 |
| 新型 | 中華民國 | 092210371 | 224730 | 三葉片機械心瓣 | 淡江大學學校財團法人淡江大學 | 2004/10/04 |
| 發明 | 中華民國 | 090101454 | I 221435 | 化學機械研磨時控製程參數最佳化方法 | 國立中興大學 | 2004/10/01 |
| 發明 | 美國 | 10/408225 | US6798821B2 | 合金水冷卻銅坩鍋感應熔煉控制凝固法 | 國立臺灣大學 | 2004/09/28 |
| 新型 | 中華民國 | 091208442 | 224420 | 整合盲用電腦工作平台與點字觸摸顯示器之轉換界面控制裝置 | 淡江大學學校財團法人淡江大學 | 2004/09/24 |
| 發明 | 中華民國 | 092113188 | 202710 | 時域反射圓錐貫入器 | 國立交通大學 | 2004/09/23 |
| 發明 | 中華民國 | 092108199 | I221344 | 奈米管複合高分子電解質之組成及其製造方法 | 國立中央大學 | 2004/09/22 |
| 發明 | 美國 | 10/122,572 | US6,794,309B2 | 利用粗糙絕緣層增強金絕半元件穩定度之方法 | 國立臺灣大學 | 2004/09/21 |
| 發明 | 中華民國 | 091103065 | I 221319 | 在快熱製程中利用氣體切換以提高絕緣層穩定度的方法 | 國立臺灣大學 | 2004/09/21 |
| 發明 | 中華民國 | 091137059 | 202580 | 抗輻射雙擴散金氧半電晶體及其製作方法 | 逢甲大學 | 2004/09/20 |
| 發明 | 中華民國 | 092103025 | 202519 | 氫氣感測器及其製造方法 | 國立成功大學 | 2004/09/17 |
| 發明 | 中華民國 | 092101164 | 202435 | 一種鐵電層電極結構及製造方法 | 國立交通大學 | 2004/09/16 |
| 發明 | 中華民國 | 092117346 | 二0二0六七 | 高線性度擬晶性高電子遷移率場效電晶體 | 國立高雄師範大學 | 2004/09/14 |
| 發明 | 美國 | 10/650,368 | 6,791,387B1 | Earle閂鎖電路及其設計方法 | 國立清華大學 | 2004/09/14 |
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