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專利類型 專利國別
(專利申請國家) 		專利申請案號 專利證號 專利獲證名稱 專利所屬機關
(申請機關) 		獲證日期
發明 09250466.1 2221951 昇壓裝置BOOST CONVERTER FOR VOLTAGE BOOSTING 弘光科技大學 2016/04/13
發明 希臘 09250466.1 2221951 昇壓裝置BOOST CONVERTER FOR VOLTAGE BOOSTING 弘光科技大學 2016/04/13
發明 斯洛伐克 09250466.1 2221951 昇壓裝置BOOST CONVERTER FOR VOLTAGE BOOSTING 弘光科技大學 2016/04/13
發明 美國 14/146,017 US 9,312,856 B2 三維電壓式TSV訊號傳輸架構Scheme for 3D Voltage Type TSV Signal Transmission 國立清華大學 2016/04/12
發明 美國 13/169,056 US 9,310,401 B2 辨識電器狀態的電力監控系統及其電力監控方法POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF 國立交通大學 2016/04/12
發明 美國 14/940,162 US 9,312,484 B2 記憶體結構及其製備方法MEMORY STRUCTURE AND PREPARATION METHOD THEREOF 國立交通大學 2016/04/12
發明 美國 13/934,213 US 9,312,884 B2 雙重準循環低密度同位校驗碼DOUBLE QC-LDPC CODE 國立清華大學 2016/04/12
發明 美國 14/013,627 US 9,313,021 B2 具有自我驗證能力之祕密通訊方法SECRET COMMUNICATION METHOD WITH SELF-AUTHENTICATION CAPABILITY 國立交通大學 2016/04/12
發明 美國 14/335,355 US 9,312,440 B2 發光元件之磊晶結構EPITAXY STRUCTURE OF A LIGHT EMITTING ELEMENT HAVING III-NITRIDE QUANTUM WELLS 國立中山大學 2016/04/12
發明 美國 14/294,174 US 9,312,006 B2 非揮發性三元內容定址記憶體單元NON-VOLATILE TERNARY CONTENT-ADDRESSABLE MEMORY WITH RESISTIVE MEMORY DEVICE 國立清華大學 2016/04/12
發明 美國 14/270,685 US 9,310,356 Calligraphy paper-based biomedical testing sheet and its manufacturing method 國立清華大學 2016/04/12
發明 中華民國 103100028 I 529542 以切換式為基礎的時變步階演算裝置及其使用方法 國立宜蘭大學 2016/04/11
發明 中華民國 103113357 I 529826 三元晶圓鍵合之方法及其結構 國立中央大學 2016/04/11
發明 中華民國 101101208 I 529405 取得磁共振影像訊號方法及裝置 國立臺灣大學 2016/04/11
發明 中華民國 100147995 I 529177 含磷的苯并噁嗪化合物、固化組成物及固化物 國立中興大學 2016/04/11


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