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專利類型 專利國別
(專利申請國家) 		專利申請案號 專利證號 專利獲證名稱 專利所屬機關
(申請機關) 		獲證日期
發明 中華民國 099121840 I 418660 改良式電解法製備透明導電多成份金屬氧化物粉末的方法 長庚大學 2013/12/11
發明 中華民國 100106809 I 418816 高解析度高頻之影像處理晶片的驗證系統ERROR CHECKING SYSTEM FOR HIGH RESOLUTION AND HIGH FREQUENCY IMAGE PROCESSING CHIP 國立中興大學 2013/12/11
發明 美國 13/155,455 US 8,605,404 B2 串級電磁脈衝防護電路CASCADE ELECTROMAGNETIC PULSE PROTECTION CIRCUIT FOR HIGH FREQUENCY APPLICATION 長庚大學 2013/12/10
發明 美國 13/101,786 US 8,603,425 B2 無機層狀材料的脫層方法METHOD FOR FABRICATING AN EXFOLIATED INORGAIC LAYERED MATERIAL 中原大學 2013/12/10
發明 美國 13/331,423 US 8,603,886 B2 具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法Intermediate epitaxial structure and method for fabricating an epitaxial structure 國立中興大學 2013/12/10
發明 美國 13/158,434 US 8,605,264 B2 量化材料殘餘應力之裝置及其方法APPARATUS AND METHOD FOR QUANTIFYING RESIDUAL STRESS OF A BIREFRINGENT MATERIAL 國立清華大學 2013/12/10
發明 美國 13/300,248 US 8,604,549 B2 具增強的、可調適的低頻雜訊之多閘極場效電晶體MULTI-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH ENHANCED AND ADAPTABLE LOW-FREQUENCY NOISE 國立清華大學 2013/12/10
發明 美國 11/902,077 US 8,603,785 B2 以二氫硫辛醯胺脫氫酶分解有機高分子之方法Method of Organic Polymer Degradation by Dihydrolipoamide Dehydrogenase 國立中央大學 2013/12/10
發明 南韓 10-2011-0139891 10-1341824 具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法(INTERMEDIATE EPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING AN EPITAXIAL STRUCTURE) 國立中興大學 2013/12/10
發明 美國 13/107,679 US 8,603,882 B2 一種雙重矽、鍺化物結構的製作方法A Method For Making Dual Silicide and Germanide Semiconductors 財團法人國家實驗研究院 2013/12/10
發明 日本 特願 2011-085978 特許 5427823 畫面估測系統及其估測方法FRAME PREDICTION SYSTEM AND PREDICTION METHOD THEREOF 國立交通大學 2013/12/06
發明 大陸 CN201010558982.8 ZL 201010558982.8 磊晶元件的制作方法 國立中興大學 2013/12/04
發明 大陸 201010544470.6 1313865 微波繞射系統 國立清華大學 2013/12/04
發明 大陸 CN201010292972.4 ZL 201010292972.4 具有恐水檔牆的電濕潤元件的製作方法 國立中興大學 2013/12/04
發明 美國 13/233,330 US 8,600,713 B2 航測製圖系統線上三維房屋模型重建方法Method of Online Building-Model Reconstruction Using Photogrammetric Mapping System 國立中央大學 2013/12/03


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